一种WVTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201910268799.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109778050A | 公开(公告)日 | 2019-05-21 |
申请公布号 | CN109778050A | 申请公布日 | 2019-05-21 |
分类号 | C22C30/00(2006.01)I; C22C1/04(2006.01)I | 分类 | 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理; |
发明人 | 吴玉程; 侯庆庆; 罗来马; 谭晓月; 昝祥; 朱晓勇; 刘东光 | 申请(专利权)人 | 安徽亿恒新材料科技有限公司 |
代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人 | 乔恒婷 |
地址 | 241200 安徽省芜湖市繁昌区繁昌经济开发区春谷3D打印产业园内 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种WVTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法,其中WVTaTiZr难熔高熵合金的组元为W、V、Ta、Ti、Zr,其中各组分按原子百分比构成为:W 20‑23%,V 20‑23%,Ta 20‑23%,Ti 20‑23%,Zr 8‑20%。本发明采用机械混粉的方法获得复合粉体,再通过放电等离子烧结制备出综合性能良好的WVTaTiZr单相难熔高熵合金材料,其组织均匀,硬度、强度等综合性能均得到提高。 |
