一种WVTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法

基本信息

申请号 CN201910268799.5 申请日 -
公开(公告)号 CN109778050A 公开(公告)日 2019-05-21
申请公布号 CN109778050A 申请公布日 2019-05-21
分类号 C22C30/00(2006.01)I; C22C1/04(2006.01)I 分类 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理;
发明人 吴玉程; 侯庆庆; 罗来马; 谭晓月; 昝祥; 朱晓勇; 刘东光 申请(专利权)人 安徽亿恒新材料科技有限公司
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人 乔恒婷
地址 241200 安徽省芜湖市繁昌区繁昌经济开发区春谷3D打印产业园内
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种WVTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法,其中WVTaTiZr难熔高熵合金的组元为W、V、Ta、Ti、Zr,其中各组分按原子百分比构成为:W 20‑23%,V 20‑23%,Ta 20‑23%,Ti 20‑23%,Zr 8‑20%。本发明采用机械混粉的方法获得复合粉体,再通过放电等离子烧结制备出综合性能良好的WVTaTiZr单相难熔高熵合金材料,其组织均匀,硬度、强度等综合性能均得到提高。