铁电随机存取存储器只读存储器字线架构及上电复位方法

基本信息

申请号 CN202010611460.3 申请日 -
公开(公告)号 CN111833932B 公开(公告)日 2022-06-28
申请公布号 CN111833932B 申请公布日 2022-06-28
分类号 G11C11/22(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 潘锋 申请(专利权)人 无锡拍字节科技有限公司
代理机构 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 -
地址 214135江苏省无锡市新吴区弘毅路8号东庄电力电子科技园金帛座502
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的实施例涉及随机存取存储器(RAM)电路配置的架构。例如,某些实施例涉及铁电RAM(FRAM)只读存储器(ROM)字线架构。一种用于对存储器进行上电复位的方法可以包括使存储器上电。该方法还可以包括:读取存储器的第一配置字线的第一位中的第一标志,其中第一配置字线是多个冗余配置字线之一。该方法还可以包括:当第一标志指示第一配置字线为有效时,读取该字线的预定数目的字节。该方法附加地可以包括:当第一标志指示第一配置字线为有效时,基于所述预定数目的字节配置存储器的操作。