一种存储器件的制造方法及其电容器
基本信息
| 申请号 | CN202010870280.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111968980B | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN111968980B | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L27/11507（2017.01）I;H01L27/11514（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华文宇;陶谦;刘藩东;夏季 | 申请（专利权）人 | 无锡拍字节科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张东梅 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区弘毅路8号东庄电力电子科技园金帛座502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层；形成第一位线导电插塞，所述第一位线导电插塞包括与所述位线导电柱电连接的金属导电柱以及金属导电柱之间的第二介质层；依次形成第三介质层和硬掩模层；通过光刻和刻蚀工艺使硬掩模层图案化，并以图案化后的硬掩模层作为掩模进行刻蚀，在第二介质层和第三介质层中形成深孔，然后去除硬掩模层，所述深孔的底部暴露出所述电容器导电柱；形成第一电极层；形成高K铁电氧化物层和第二电极层；形成金属互连及板线和位线。 |
