一种FCOB存储器件的制造方法及其电容器
基本信息
| 申请号 | CN202010871391.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111968981B | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN111968981B | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L27/11507;H01L27/11514 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华文宇;陶谦;刘藩东;夏季 | 申请（专利权）人 | 无锡拍字节科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张东梅 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新吴区弘毅路8号东庄电力电子科技园金帛座502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一介质层，在第一介质层形成导电柱，在第一介质层上形成第二介质层，在第二介质层形成导电互连和金属位线，在第二介质层上形成第三介质层，在第三介质层形成电容器接触盘，在第三介质层上形成第四介质层，在第四介质层形成铁电电容器，在第四介质层上形成第五介质层，在第五介质层形成于电容器上电极连接的金属板线。 |
