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具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管

基本信息

申请号	CN202110623108.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113345953A	公开（公告）日	2021-09-03
申请公布号	CN113345953A	申请公布日	2021-09-03
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李晋	申请（专利权）人	厦门芯辰微电子有限公司
代理机构	河北冀华知识产权代理有限公司	代理人	王占华
地址	361012福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区港中路1694号万翔国际商务中心2号楼南楼604
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管，涉及电子元器件技术领域。所述二极管包括半绝缘衬底层，所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层，钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层，左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面高于所述重掺杂GaAs层的上表面，不具有欧姆接触金属层的重掺杂GaAs层的上表面形成有低掺杂GaAs层，左侧的所述重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层与对应的右侧的重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层之间的距离从下到上逐渐减小，使得在二极管的中间形成正八字型的隔离槽结构。所述二极管可有效的降低二极管在高频工作时候的电容寄生效应。