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一种三维MIM电容器的制备方法

基本信息

申请号 CN202010651339.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111933622A 公开（公告）日 2020-11-13
申请公布号 CN111933622A 申请公布日 2020-11-13
分类号 H01L23/64(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 邹思月;张继华;方针;高莉彬;陈宏伟;王文君;蔡星周;穆俊宏 申请（专利权）人 成都迈科科技有限公司
代理机构 电子科技大学专利中心 代理人 电子科技大学;成都迈科科技有限公司
地址 611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
法律状态 -

摘要

摘要 一种三维MIM电容器的制备方法，属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极，以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层，形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极；其中，金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm～5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底，然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层，最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单，成本低廉，得到的多孔金属基底比表面积增大，有效的提升了MIM电容器的性能。