一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111496045.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203564A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203564A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜茂华 | 申请（专利权）人 | 通富微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明;赵吉阳 |
| 地址 | 226004江苏省南通市崇川路288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构，该方法包括：分别提供缓冲芯片以及多组存储器芯片，每组存储器芯片均包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；其中，缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，第一存储器芯片和第二存储器芯片均设置有与多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔；分别将每组存储器芯片中的第一存储器芯片与第二存储器芯片进行混合键合，形成多个存储器微模组；依次将多个所述存储器微模组绝缘堆叠设置在缓冲芯片上；形成塑封层，塑封层包裹多个存储器微模组和缓冲芯片。采用双芯片进行混合键合构成存储器微模组，可以实现超多层芯片堆叠，提高生产效率，实现键合高度下降，芯片层数大大增加，容量增加。 |
