多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111496903.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203565A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203565A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜茂华;吴明敏 | 申请（专利权）人 | 通富微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明;赵吉阳 |
| 地址 | 226004江苏省南通市崇川路288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构，该方法提供缓冲芯片和多个第一存储器芯片，以上芯片均设置有多个导电通孔。在第一存储器芯片的第一表面对应导电通孔处依次形成第一导电凸块和第二导电凸块。在第一存储器芯片的第二表面对应导电通孔处形成第一焊盘。通过热压焊工艺，将每相邻两个第一存储器芯片的第二导电凸块和第一焊盘嵌套，将多个第一存储器芯片依次绝缘堆叠在缓冲芯片上。通过回流焊工艺，将堆叠完成的多个第一存储器芯片和缓冲芯片回流焊接。形成塑封层，塑封层包裹多个第一存储器芯片和缓冲芯片。本发明通过两步焊接工艺，将第二导电凸块和第一焊盘相嵌套，可减小第二导电凸块的变形，实现超细间距的互连。 |
