一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111494369.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203563A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203563A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜茂华;吴明敏 | 申请（专利权）人 | 通富微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明;赵吉阳 |
| 地址 | 226004江苏省南通市崇川路288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：提供缓冲芯片、多个假片和多个第一存储器芯片，假片设置有槽体，缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，第一存储器芯片设置有与多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔；分别将每个第一存储器芯片固定在对应的假片的槽体内，形成多个存储器微模组；将多个存储器微模组依次混合键合堆叠在缓冲芯片上，存储器微模组在缓冲芯片上的正投影与缓冲芯片重合。本方法通过假片将两种不同尺寸的第一存储器芯片和缓冲芯片调整为同一尺寸，即存储器微模组与缓冲芯片尺寸相同，可实现晶圆级混合键合，实现可量产性，产出率高。每相邻两个存储器微模组间混合键合，在同等密度下，提高数据吞吐量。 |
