高宽带存储器封装方法及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111496879.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203569A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203569A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/60（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜茂华;吴明敏 | 申请（专利权）人 | 通富微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明;赵吉阳 |
| 地址 | 226004江苏省南通市崇川路288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高宽带存储器封装方法及封装结构，该方法包括：在第一存储器芯片内预设位置处形成多个切割痕；在相邻两个所述切割痕之间将多个第二存储器芯片依次混合键合堆叠设置在第一存储器芯片上；形成第一塑封层；将塑封完成的第一存储器芯片贴在贴片膜上，在对应多个切割痕的位置处切割第一塑封层，形成多个独立的第二存储器芯片组；沿多个切割痕，对第一存储器芯片进行切割，形成多个独立存储器堆叠模块；将多个存储器堆叠模块与缓冲芯片进行热压键合；形成第二塑封层；对第二塑封层和缓冲芯片进行切割，形成独立存储器封装结构。本发明的高宽带存储器封装方法，可实现超细间距互连，增加垂直互连的数量，可提高数据吞吐量，增加容量。 |
