首页/ 通富微电子股份有限公司/ 专利详情

防止热压焊空洞形成的基板及多层堆叠存储器

基本信息

申请号 CN202111494361.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114203681A 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN114203681A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L25/065（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杜茂华 申请（专利权）人 通富微电子股份有限公司
代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司 代理人 李明;赵吉阳
地址 226004江苏省南通市崇川路288号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种防止热压焊空洞形成的基板及多层堆叠存储器，所述防止热压焊空洞形成的基板，包括基材、位于所述基材上的阻焊剂层、开设在所述阻焊剂层上的内开口区和安装在基材上的焊盘，所述焊盘设置在内开口区中，所述内开口区位于芯片安装区内，在所述阻焊剂层上还设置有外开口区，所述外开口区位于芯片安装区的外侧，所述外开口区与所述内开口区连通。本发明提供的防止热压焊空洞形成的基板可以有效防止空洞的形成，以使得基板能够更好地适用于热压键合和非导电胶工艺。