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多层堆叠存储器及制作方法

基本信息

申请号 CN202111493913.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114203568A 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN114203568A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L21/60（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杜茂华 申请（专利权）人 通富微电子股份有限公司
代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司 代理人 李明;赵吉阳
地址 226004江苏省南通市崇川路288号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多层堆叠存储器及制作方法，所述多层堆叠存储器制作方法包括以下步骤：准备存储芯片和基板，使用热压键合的方式将存储芯片通过微凸点焊接堆叠在基板上；将另一层存储芯片通过微凸点焊接堆叠在上一层存储芯片上，形成堆叠模块；在所述基板与存储芯片之间、以及上下相邻的存储芯片之间均充满塑封料或底充胶，对所述堆叠模块进行塑封；将塑封后的堆叠模块分割成独立封装。本发明提供的多层堆叠存储器制作方法可以有效降低多层堆叠存储器的生产成本。