一种高集成度的硅光芯片
基本信息
| 申请号 | CN202111091354.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113805270A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113805270A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | G02B6/12（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 程进;孙涛;于让尘;潘栋 | 申请（专利权）人 | 希烽光电科技（南京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明;许伟群 |
| 地址 | 211800江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座611 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种高集成度的硅光芯片，通过分路器与雪崩光电二极管接收器的配合，可以有效减少激光器的数量。具体的，通过分路器可以将较少数量的激光器发射的直流激光拆分为更多的光路，以使拆分后得到的光路的数量符合硅光芯片要求的光路数量，同时，即使经过分路器拆分后得到的光路的功率值较低，这些光路通过硅光调制器得到的调制后的光信号的功率值较低，也可以采用具有较高增益的光电二极管接收器准确识别和捕获这些功率值较低的调制后的光信号，而且，分路器和光电二极管接收器都可以集成在硅基衬底上，由此，可以有效提高硅光芯片的集成度。 |
