波导集成雪崩光电二极管
基本信息
| 申请号 | CN201911241096.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110880539B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN110880539B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L31/0232;H01L31/107 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄梦园;苏宗一;邱德煌;李左玺;洪菁吟;潘栋 | 申请（专利权）人 | 希烽光电科技（南京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京京万通知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许天易 |
| 地址 | 210043 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座611室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了单片雪崩光电二极管（APD）的各种实施例，其可以被制造在绝缘体上硅衬底上。单片APD包括将入射光引导到APD的有源区域的光波导。光耦合器与光波导一体形成以捕获入射光。单片APD还包括光反射器，以将不容易被光耦合器捕获的入射光的一部分反射到光耦合器以进一步捕获。有源区域包括用于将入射光转换成电子‑空穴对的吸收层、用于通过雪崩倍增将电子‑空穴对放大成光电流的外延结构、以及用于传导光电流的一对电导体。 |
