一种高磁导率低损耗FeNiMo磁粉心及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011054599.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112251648B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN112251648B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C22C19/03（2006.01）I;C22C1/04（2006.01）I;H01F1/147（2006.01）I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 李兆波;王玄哲;陶思博 | 申请（专利权）人 | 绵阳西磁科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟仕杰 |
| 地址 | 621000四川省绵阳市高新区火炬西街北段81号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高磁导率低损耗FeNiMo磁粉心及其制备方法，涉及金属软磁粉心技术领域，解决目前军工及高端测试设备中使用的金属软磁粉心性能低的技术问题，本发明高磁导率低损耗FeNiMo磁粉心由质量比为10：0.1～0.3：0.5～0.8的FeNiMo合金、无机物和粘接剂制成，所述FeNiMo合金中各组分的质量分数为：Fe16.5％～17.5％、Ni80.5％～81.5％、Mo余量，本发明高磁导率低损耗FeNiMo磁粉心饱和磁感应强度大、磁导率高、损耗低，能量转换效率高，极端环境耐受能力强，可以应用在负载线圈、滤波器、变压器等军品或高端精密仪器设备中，能满足大型军用电子系统以及高端测试仪器系统对金属软磁元件的要求。 |
