一种低b*值高透过率导电膜
基本信息
| 申请号 | CN202010599787.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111755146B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN111755146B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01）I;H01B1/16（2006.01）I;H01B1/22（2006.01）I;H01B13/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 靳世东;曾西平;詹世治;肖谢 | 申请（专利权）人 | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳国海智峰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王庆海 |
| 地址 | 272100 山东省济宁市兖州区颜店镇颜店新城双创中心B区15#楼（洸府河西路以西、子渊路以北、颜德路以东、德盛路以南） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及导电膜技术领域，尤其涉及一种低b*值高透过率导电膜。该导电膜包括基材层和位于基材层上的导电层，导电层为银纳米线导电油墨涂布固化而成，银纳米线导电油墨中添加有质量分数为0.2‑1wt％的蓝色中空SiO2微球。本发明将由染色化合物和中空SiO2微球构成的有色螯合物吸附到金属纳米线上，充分利用了中空SiO2微球降低导电膜电阻的特性及蓝色染料降低b*值的效果，且能够抑制因单独添加有色化合物（染料）而导致的透明性的降低，得到具有低电阻、低b*值、高透过率的导电膜。 |
