MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法

基本信息

申请号 CN200910198656.8 申请日 -
公开(公告)号 CN101704497B 公开(公告)日 2012-08-29
申请公布号 CN101704497B 申请公布日 2012-08-29
分类号 H01L21/50(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈骁;罗乐 申请(专利权)人 上海新微科技集团有限公司
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新微科技集团有限公司
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法,其特征在于在硅盖板上,在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的1.3-1.5倍。所述腐蚀槽的深度为8-12μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前,硅盖板上用刻蚀工艺刻蚀出环状的腐蚀槽阵列,然后丝网印刷机定位印刷到硅盖板的单腐蚀槽内,然后与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于单腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸,因而大大提高气密封装的成品率。