一种异质结构薄膜衬底的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011334127.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112467024A | 公开（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申请公布号 | CN112467024A | 申请公布日 | 2021-03-09 |
| 分类号 | H01L41/312(2013.01)I;H01L41/22(2013.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄凯;欧欣;赵晓蒙 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;贾允 |
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下：提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底，该第一压电衬底设于该第二压电衬底上；向该第一压电衬底进行离子注入，经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合，得到异质结构衬底；对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理，得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。 |
