一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法
基本信息
申请号 | CN202011323060.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112420512A | 公开(公告)日 | 2021-02-26 |
申请公布号 | CN112420512A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 欧欣;陈阳;黄凯 | 申请(专利权)人 | 上海新微科技集团有限公司 |
代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;贾允 |
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号5号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法,包括:获取包括第一晶圆和第二晶圆,注入离子到第二晶圆,从而在第二晶圆的内部形成缺陷层;沿第二晶圆的注入面与第一晶圆进行键合,形成键合结构;将键合结构置于晶圆花篮中,第一晶圆位于第二晶圆的上方;未键合区域由晶圆花篮的悬臂支撑,第二晶圆中与未键合区域同侧的一端依靠与第一晶圆的键合力悬空,键合结构中与未键合区域相对的一端由晶圆花篮的卡槽支撑;将晶圆花篮和键合结构进行整体退火处理;键合结构沿第二晶圆的缺陷层所在的位置完成薄膜晶圆和剩余晶圆的分离。本申请涉及的分离方法避免了第一晶圆和第二晶圆之间的相对滑动对薄膜晶圆表面的损伤,从而提高了产品的质量与良率。 |
