一种具有去耦结构的半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011393929.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112466760A | 公开（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申请公布号 | CN112466760A | 申请公布日 | 2021-03-09 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯红伟 | 申请（专利权）人 | 济南恒耀信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 叶宇 |
| 地址 | 250000山东省济南市历城区工业北路58号恒大城H栋1-2302 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有去耦结构的半导体装置及其制造方法。本发明利用密封体实现芯片组件的梯形截面形状，其可以保证电镀的均匀性以及保证电容结构与芯片的电连接可靠性；环形围墙的斜面和芯片组件的斜面形成具有两个对电极的倾斜型电容结构，该电容结构电连接所述芯片，在保证去耦的同时，不占用芯片的正上方空间。 |
