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一种基于Ⅱ类非临界相位匹配的共振增强腔倍频装置

基本信息

申请号 CN201610267047.3 申请日 -
公开（公告）号 CN107317217A 公开（公告）日 2017-11-03
申请公布号 CN107317217A 申请公布日 2017-11-03
分类号 H01S3/109(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 许祖彦;王明强;王志敏;张丰丰;宗楠;张申金;杨峰;彭钦军 申请（专利权）人 同方中科超光科技有限公司
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人 中国科学院理化技术研究所
地址 100190 北京市海淀区中关村东路29号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于Ⅱ类非临界相位匹配的共振增强腔倍频装置，包括：至少由输入耦合镜、输出耦合镜、第一非线性晶体和第二非线性晶体组成的共振增强腔；其中，所述输入耦合镜用于将基频光耦合入所述共振增强腔；所述第一非线性晶体用于对通过所述第一非线性晶体内的基频光的第一偏振光分量与第二偏振光分量进行相位补偿，以使从所述第一非线性晶体通过的基频光的第一偏振光分量和第二偏振光分量的相位差为2π的整数倍；所述第二非线性晶体用于使通过所述第二非线性晶体内的基频光满足第Ⅱ类非临界相位匹配条件，以得到从所述第二非线性晶体产生并输出的倍频光；所述输出耦合镜用于将所述共振增强腔内的倍频光输出。