半导体器件的内引线结构
基本信息
| 申请号 | CN200710045546.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101123230A | 公开（公告）日 | 2008-02-13 |
| 申请公布号 | CN101123230A | 申请公布日 | 2008-02-13 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/482(2006.01);H01L23/488(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 褚卫兵;施震宇;曾小光;陈卫东;罗礼雄 | 申请（专利权）人 | 万国万民半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁国芳 |
| 地址 | 201614上海市松江出口加工区B区东开置业园B1型标准厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的内引线结构，包括用来电连接引线框架与装载在所述引线框架上芯片的内引线，其特征在于，在所述芯片的表面对应与所述内引线连接处焊接有桥接结构，所述桥接结构为金属介质，具体的，为金球或金合金球。半导体器件的内引线结构通过所述的桥接结构使内引线与所述芯片形成电连接，彻底解决了完全使用其它金属材料如铜作为内引线的工艺上的缺陷，提高了生产效率及产品的可靠性，同时比使用金线作为半导体器件的内引线大大节省了成本。 |
