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一种提高数据存储稳定性的缓存方法

基本信息

申请号 CN201410158100.7 申请日 -
公开（公告）号 CN105005533A 公开（公告）日 2015-10-28
申请公布号 CN105005533A 申请公布日 2015-10-28
分类号 G06F12/02(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I 分类 计算；推算；计数;
发明人 魏巍;杨海舟 申请（专利权）人 西安光向信息科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 710075 陕西省西安市高新区高新一路创新大厦5楼N501室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种提高数据存储稳定性的缓存方法，涉及数据存储领域。本发明的技术方案是，选取两片SRAM作为储存器，首先通过设置读写切换信号来确定该芯片为读状态或者写状态，将读、写地址映射到对应的读、写芯片地址上，再将数据通过对应的数据线输入到芯片内部，当一帧数据传输完毕后翻转读写切换信号，将储存器读写状态进行交换，如此更替。本发明的有益效果是：通过存储芯片的读写功能的轮流使用，客户不必再关心具体芯片的读写状态，只需确定读写数据以及相应的读写地址，从而在确保了数据存储的可靠性的基础上，提高了数据缓存的便利性。