深硅刻蚀形貌控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202110955977.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113880043A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113880043A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 徐伟;颜培力;张斌 | 申请（专利权）人 | 上海矽睿科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人 | 严帅 |
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1328号3楼307室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种深硅刻蚀形貌控制方法，所述深硅刻蚀形貌控制方法包括：步骤S1、在硅片的版图结构上增加释放图形的设计结构,在硅片上的设定位置形成空腔结构；步骤S2、在经过步骤S1处理后的硅片上生长至少一层氧化层；步骤S3、将经过步骤S2处理的硅片与一裸硅晶圆键合，所述裸硅晶圆位于所述硅片的上方；步骤S4、通过深硅刻蚀将所述裸硅晶圆刻穿并停留在氧化层；步骤S5、将释放图形底部的氧化层腐蚀干净。本发明提出的深硅刻蚀形貌控制方法，可在实现相同的结构形貌的前提下实现梳齿结构无损伤，确保器件的性能可靠。 |
