一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构
基本信息
| 申请号 | CN201910951222.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110707002B | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN110707002B | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，包括以下步骤：提供二维材料基板；在二维材料基板表面生长AlN柱，形成位于二维材料基板上的AlN柱层；在AlN柱层上生长GaN厚膜；通过机械剥离的方式去除二维材料基板；通过研磨抛光处理的方法去除AlN柱层，并获得平整的GaN厚膜，该GaN厚膜即为自支撑GaN衬底。该方法可以利用在二维材料基板上进行外延生长时较低的成核密度，先在二维材料基板上高温生长AlN柱，再利用GaN侧向合并能力强的特点，以降低缺陷密度，在AlN柱上再生长GaN厚膜，以提高最终获得的自支撑氮化物衬底的晶体质量。 |
