可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111479532.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889528A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113889528A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | H01L29/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B33/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐琳;苏克勇;陈吉湖;聂恒亮 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州钤韬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵杰香;金丹丹 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可分离的多层GaN衬底，至少包括三层结构，其中包括GaN基层，位于该GaN基层上的氮化物牺牲层，位于该氮化物牺牲层上的GaN功能层，其中所述GaN功能层上设有开窗，所述开窗内设有金属电极，所述金属电极欧姆接触在所述氮化物牺牲层上，这样可以有效改善化学腐蚀氮化物牺牲层时GaN基层出现裂纹的情况，并且对器件寿命具有有效延长。本发明可以通过去除氮化物牺牲层，将GaN基层和功能层分离，分离后的GaN基层可以反复利用，极大地降低了GaN器件的制作成本。 |
