氮化镓外延层及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202111427485.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121611A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121611A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/205（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐琳 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王锋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓外延层及其形成方法。所述氮化镓外延层的形成方法包括：在同一反应腔室内，先在加热条件下以氢气对氮化镓衬底表面进行清洁处理，之后以惰性气体等离子体轰击所述氮化镓衬底表面；其后，在所述反应腔室内，继续在所述氮化镓衬底表面生长形成氮化镓成核层，再在所述氮化镓成核层上生长形成致密氮化镓层，最后在所述致密氮化镓层上生长形成氮化镓外延层。本发明可以大幅节约氮化镓外延层的成膜时间，提高其生产效率，并杜绝氮化镓衬底转移过程中的污染，而且可以获得高质量的氮化镓外延层，利于氮化镓材料的大规模生产和推广应用。 |
