可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111482182.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114334607A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114334607A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 聂恒亮;徐琳;苏克勇;陈吉湖 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州钤韬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵杰香;金丹丹 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可分离多层GaN衬底的分离方法，将可分离多层GaN衬底浸入腐蚀液中，使氮化物牺牲层浸没于所述腐蚀液中；提供一光源，该光源向可分离多层GaN衬底照射一光束，所述光束透过所述GaN基层在所述氮化物牺牲层上形成光斑；移动光斑，使得该光斑的移动轨迹满足从所述氮化物牺牲层的边缘往中心靠拢；其中，所述光源的光具有大于所述氮化物牺牲层带隙并小于所述GaN基层和GaN功能层带隙的能量，且所述光斑的移动速度满足被该光斑照射的氮化物牺牲层区域能被所述腐蚀液腐蚀。分离后的GaN基层可以反复利用，极大地降低了GaN器件的制作成本。 |
