一种共用金属源的HVPE装置
基本信息
| 申请号 | CN202122845238.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216639708U | 公开（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申请公布号 | CN216639708U | 申请公布日 | 2022-05-31 |
| 分类号 | C30B25/14（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵毛毛;徐琳;金超 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州友佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种共用金属源的HVPE装置，包括气源室和若干个生长室，气源室和生长室之间设置可加热的第一输运管道；气源室包括第一加热装置、进气管道、以及金属承载舟；生长室包括第二加热装置，用于承载衬底的可旋转支撑件，以及第二输运管道；气源室内生成的金属前驱物气体经第一输运管道输送至生长室。通过将气源室与生长室分离，实现一个气源室同时连若干个生长室，提高生产效率；另外，将输送源气体的第二输运管道设置在生长室而不经过气源室，避免金属前驱物气体与源气体的反应生成物在气源室内壁沉积的不良效果，提高生长室内的源气体浓度，从而获得高质量的半导体外延层。 |
