氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的设备
基本信息
| 申请号 | CN202121751342.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215481424U | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN215481424U | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 蔡德敏;徐琳;张波;沈振华 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种氢化物气相外延法生长III‑V族化合物单晶的设备，包括：HVPE反应腔室，具有沿预设方向依次连通设置的第一区域、第二区域、第三区域，第一区域可供III族元素源与氮源反应生成III族氮化物单晶、氢气和卤素氢化物，第二区域可供III族元素源与氢气反应生成III族元素单质和卤素氢化物；第三区域可供氮源与卤素氢化物反应生成铵盐；加热装置，用于分别对所述第一、第二和第三区域进行加热；氮源和III族元素源供给机构，所述氮源和III族元素源供给机构与HVPE反应腔室连接。所述设备提高了III族氮化物单晶的产量和纯度，并能回收III族元素单质，降低了III族氮化物单晶的制备成本。 |
