一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路
基本信息
| 申请号 | CN202011210745.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112230702A | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN112230702A | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 赵欣 | 申请（专利权）人 | 成都天朗电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都君合集专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都天朗电子科技有限公司 |
| 地址 | 610200四川省成都市自由贸易试验区成都市双流区公兴街道综保大道一段11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路，偏置电流源输出偏置电流的端口连接到三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极通过电阻R1后接地，所述三极管Q1的基极连接到三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极通过电阻R2后和电阻R1接地端共地，所述三极管Q1基极还通过电容C1后和电阻R2、电阻R1接地端共地；三极管Q2集电极分别连接到两个三极管Q3、Q4的发射极，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后连接电源，所述三极管Q4的集电极通过电阻R4后连接电源，三极管Q3和Q4的基极分别连接一个差分信号输入；所述三极管Q1的集电极通过一个DNW CMOS模块连接到三极管Q1的基极。 |
