一种超低功耗施密特触发器
基本信息
| 申请号 | CN202110044892.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112865755B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN112865755B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H03K3/012（2006.01）I;H03K3/3565（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 史良俊;袁敏民;毛成烈;孙思兵 | 申请（专利权）人 | 无锡力芯微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡知更鸟知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张涛 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新区新辉环路8号无锡力芯微电子有限公司设计部 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的超低功耗施密特触发器包括第一PMOS管、电流源、第一倒相器、第二倒相器和电平转换电路。第一倒相器和第二倒相器的工作或者静态电流的上限由电流源的工作电流决定，因此通过控制偏置电压，能够使第一倒相器和第二倒相器的工作电流很小。电平转换电路处于正反馈的工作状态，其正反馈的工作状态使其没有长时间的中间状态，因此其只会在输出信号跳变的瞬间出现一定电流，其他时间接近于零功耗。第二PMOS管起到正反馈的作用，对第一倒相器的输出进行加速。第一PMOS管有提升本电路的ESD耐压的效果。 |
