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EEPROM存储单元以及EEPROM存储器

基本信息

申请号 CN201210143432.9 申请日 -
公开（公告）号 CN102682845B 公开（公告）日 2018-10-16
申请公布号 CN102682845B 申请公布日 2018-10-16
分类号 G11C16/06 分类 信息存储;
发明人 杨光军 申请（专利权）人 上海宏力半导体制造有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种EEPROM存储单元以及EEPROM存储器。根据本发明的EEPROM存储单元包括：主存储器件、次存储器件、以及字线控制器件；其中主存储器件的源极连接至EEPROM存储单元的主位线、主存储器件的漏极连接至字线控制器件的源极，字线控制器件的漏极连接至次存储器件的源极，次存储器件的漏极连接至EEPROM存储单元的次位线。主存储器件的栅极作为主控制栅极，次存储器件的栅极作为次控制栅极，字线控制器件的栅极连接EEPROM存储单元的字线。只使用次存储器件和主存储器件中的一个，并且次存储器件和主存储器件中的另一个存储器件则作为备用单元。次存储器件和主存储器件被一起擦除。