自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110341960.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102394243B | 公开（公告）日 | 2018-01-26 |
| 申请公布号 | CN102394243B | 申请公布日 | 2018-01-26 |
| 分类号 | H01L29/423;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张雄 | 申请（专利权）人 | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法。根据本发明的自对准闪存中的浮栅结构包括：衬底、布置在所述衬底上的栅极氧化层、布置在所述栅极氧化层上的未掺杂多晶硅层、以及布置在所述未掺杂多晶硅层上的掺杂多晶硅层。根据本发明的结构和方法，在修复硅蚀刻后界面的损伤的工艺的高温制程中，未掺杂多晶硅层的氧化速度比掺杂多晶硅层慢，这样就缓解了微笑效应。 |
