氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201510352936.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105161583A | 公开（公告）日 | 2015-12-16 |
| 申请公布号 | CN105161583A | 申请公布日 | 2015-12-16 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于浩;赵玉娟;甘君锋;尹宝堂;汤献忠 | 申请（专利权）人 | 广西盛和电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 535000 广西壮族自治区钦州市高新技术产业开发区曙光园C1-2标准厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光技术领域，具体涉及氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法；包括依次层叠设置的蓝宝石衬底层、氮化嫁缓冲层、非掺杂氮化嫁层、N型氮化嫁层、多个周期对的AlGaN/InGaN多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层及渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层，所述渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层为组分均匀渐变的(AlxIn1-x)yGa1-yN四元合金层；本发明可减少对紫外光的吸收，提高发光效率，并且禁带宽度逐渐减少，同时降低了元器件的工作电压，延长了元器件的使用寿命。 |
