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一种氮化镓发光二极管的外延结构

基本信息

申请号 CN201510202494.6 申请日 -
公开（公告）号 CN104795476B 公开（公告）日 2018-01-30
申请公布号 CN104795476B 申请公布日 2018-01-30
分类号 H01L33/06;H01L33/14 分类 基本电气元件;
发明人 于浩 申请（专利权）人 广西盛和电子科技股份有限公司
代理机构 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 代理人 广西钦州市易通浩光电科技有限公司
地址 535000 广西壮族自治区钦州市中马钦州产业园区中马大街1号A219
法律状态 -

摘要

摘要 本发明为一种氮化镓发光二极管的外延结构，在多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层；N＝4～10个周期的下量子阱结构之上为M＝1～5个周期的缓冲插入层，其上为n＝1～8个周期的上量子阱结构。N≥(N+n)/2。缓冲插入层每个周期包括P型氮化镓搀杂层、P型氮化铟镓搀杂层和N型氮化镓搀杂层各一个。P型氮化镓搀杂层和P型氮化铟镓搀杂层中搀杂元素为镁、N型氮化镓搀杂层中搀杂元素为硅。缓冲插入层总厚度为35～675nm。本发明缓冲插入层防止电子越过有源区进入P型掺杂区与空穴复合，提高发光效率，当电流密度增加至250mA以上，发光效率持续增加，可达55％；发光二极管发光均匀性得到改善；易于推广应用。