一种含三元超晶格的GaN基LED外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510314328.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105098008A | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 申请公布号 | CN105098008A | 申请公布日 | 2015-11-25 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 段俊峰;修川;尹宝堂;汤献忠 | 申请（专利权）人 | 广西盛和电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 535000 广西壮族自治区钦州市高新技术产业开发区曙光园C1-2标准厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光技术领域，具体涉及一种含三元超晶格的GaN基LED外延结构及其制备方法；采用的技术方案：包括依次层叠的图形衬底、缓冲层、非掺杂本征GaN层、N型GaN层、多InGaN/GaN量子阱有源层、三元超晶格层和P型GaN层，所述三元超晶格层为生长完多量子阱层后生长由InGaN层、AlGaN层、MgGaN层形成的三元超晶格；本发明有益效果在于：可有效降低量子阱层与后续p型GaN的位错缺陷，提高GaN外延薄膜的晶体质量，可有效提高载流子浓度，提供更好的电子阻挡与扩散，从而降低内阻，提高内量子效率。 |
