一种基于MOSFET管的高压放电电路
基本信息
| 申请号 | CN202023348640.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214479594U | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN214479594U | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H02H9/02;H02H9/04 | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 陆文兴;刘坤;汪钢;吴斌 | 申请（专利权）人 | 常州市致新精密电子有限公司 |
| 代理机构 | 常州国洸专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴丽娜 |
| 地址 | 213000 江苏省常州市新北区汉江西路125号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于MOSFET管的高压放电电路，包括电荷输入端HV和通断控制单元，所述电荷输入端HV连接限流电阻阵列Rn，同时限流电阻阵列Rn分别连接二极管D1与MOSFET管Q1的漏极。本基于MOSFET管的高压放电电路，通过在放电回路中串联六个或以上的MOSFET管Q，以保证在5000V高压下，MOSFET管Q不过流，限流电阻不小于5kΩ，同时在电路中串联两个稳压管Z，以构成合适的稳压幅值，因而可以根据不同的高压环境，通过一个或者多个MOSFET管Q串联构成放电通路，再选择合适的限流电阻阵列Rn，以大大提高放电效率，降低放电回路对主路的影响。 |
