一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010951310.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112144029A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112144029A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张悦;庞先标;刘曙光;杨荣 | 申请（专利权）人 | 兴储世纪科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吕玲 |
| 地址 | 643000四川省自贡市沿滩区板仓工业园区东环路19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在两步法制备ITO薄膜引入In2O3籽晶层，提高了与P型半导体材料的接触特性，同时在制备过程中引入氢气，提高了ITO薄膜透过率、与载流子迁移率，薄膜材料的性能显著得到提高。 |
