一种非易失性存储器件及其设计方法
基本信息
| 申请号 | CN200710175710.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101132025A | 公开（公告）日 | 2008-02-27 |
| 申请公布号 | CN101132025A | 申请公布日 | 2008-02-27 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱一明;胡洪 | 申请（专利权）人 | 北京市中关村小额贷款股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静 |
| 地址 | 100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器件及其设计方法：包括：金属层、接触孔、阻挡层和晶体管，晶体管包括多晶硅层，金属层与接触孔形成控制栅；多晶硅层在阻挡层的阻隔下未与接触孔直接连接而形成浮栅；其中，金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅层依次连接共同形成电容结构。通过本发明大大提高了控制栅与浮栅耦合电容的电容密度，减小了存储单元的面积，并有利于集成系统的金属线连接。 |
