一种提高单晶金刚石质量的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111224634.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113652746A | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN113652746A | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | C30B29/04（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵丽媛;甄西合;李庆利;徐悟生;张钦辉;朱逢旭;刘得顺;杨春晖 | 申请（专利权）人 | 天津本钻科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超;刘瑞华 |
| 地址 | 300380天津市西青区中北镇星光路27号数科园研发楼102 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高单晶金刚石质量的方法，步骤包括：在生长之前，获取生长炉内的漏气率，并判断漏气率的实测值是否在标准设定区间内，以确定在生长过程中是否通入氮氢混合气体；当漏气率的实测值大于最大标准值时，不通入氮氢混合气体直至生长结束；当漏气率的实测值小于最大标准值时，在生长开始时向生长炉内通入氮氢混合气体，直至生长结束；且随着漏气率的实测值在小于漏气率的最大标准值的区间范围内的降低，则通入氮氢混合气体的含量逐渐增加。本发明可根据不同的漏气率来匹配相应的氮氢混合气体的通入量，并可获得单晶晶体生长机制为阶梯式的金刚石，不仅多晶点少且表面光滑、无小丘且无缺陷。 |
