一种微波CVD法控制多晶金刚石晶粒尺寸的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202111224666.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113699588A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113699588A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | C30B28/14（2006.01）I;C30B29/04（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李庆利;甄西合;赵丽媛;徐悟生;刘畅;朱逢旭;刘得顺;杨春晖 | 申请（专利权）人 | 天津本钻科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超;刘瑞华 |
| 地址 | 300380天津市西青区中北镇星光路27号数科园研发楼102 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种微波CVD法控制多晶金刚石晶粒尺寸的生长方法，在沉积过程中，设有N组时间段，并在第一组时间段之后的每一组时间段内连续地通入不同体积比的混合气体；随着时间段的增加，在第N组时间段后通入的所述混合气体中的每一个气体的体积比均高于在第N‑1组时间段后通入的相应气体的体积比；且在第N组时间段后，基于所述混合气体中每一个气体的体积比持续通入所述混合气体，直至生长结束。本发明通过分时间段逐步提高碳源浓度和氧气浓度，以阶梯性地提高金刚石的形核率来控制金刚石晶粒尺寸的大小，从而提升金刚石膜的质量；同时，还可阶梯地提高金刚石膜的生长速率，降低外延层的晶格缺陷，从而可减小生长应力，获得完整无裂纹的金刚石膜。 |
