薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610907445.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107017287B | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN107017287B | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田中淳 | 申请（专利权）人 | 深圳市地平线进出口有限公司 |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华;何月华 |
| 地址 | 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法。本发明提供一种具有低寄生电容和高可靠性的氧化物半导体薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：基板；包括沟道区域、源极区域及漏极区域的氧化物半导体层；栅极绝缘膜；以及栅极电极。所述栅极绝缘膜包括一层或两层，栅极绝缘膜的至少一层是位于与所述源极电极及所述漏极电极分离的位置上的图案化栅极绝缘膜。所述图案化栅极绝缘膜的下表面在沟道长度方向上的长度比所述栅极电极的下表面在沟道长度方向上的长度长。所述图案化的栅极绝缘膜的下表面在沟道长度方向上的长度比所述沟道区域在沟道长度方向上的长度长。所述源极区域和所述漏极区域的氢浓度比所述沟道区域的氢浓度高。 |
