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晶圆片及其制作方法

基本信息

申请号	CN202110389796.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113161868A	公开（公告）日	2021-07-23
申请公布号	CN113161868A	申请公布日	2021-07-23
分类号	H01S5/187（2006.01）I;H01S5/20（2006.01）I;H01S5/34（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	韩春霞;杨旭;刘哲;周璇;黄蓓	申请（专利权）人	武汉仟目激光有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	张涛
地址	430205湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地13栋1单元1层01号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种晶圆片的制作方法，包括S1，在衬底上依次生长N型分布式布拉格反射镜层和P型分布式布拉格反射镜层；S2，在衬底背离N型分布式布拉格反射镜层的一侧生长应力平衡层；S3，在应力平衡层上再制作金属加厚层。还提供一种晶圆片，本体包括N型分布式布拉格反射镜层以及P型分布式布拉格反射镜层，本体靠近N型分布式布拉格反射镜层的一侧为N面，本体靠近P型分布式布拉格反射镜层的一侧为P面；于本体的N面生长应力平衡层，并于应力平衡层上制作金属加厚层。本发明可以减小应力而避免破片的风险，进而提升了器件的稳定性和可靠性，同时制作的金属加厚层一方面可以保护应力平衡层，另一方面可以使N面金属更加光滑平坦便于后续封装。