一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构
基本信息
| 申请号 | CN202022090801.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213636609U | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN213636609U | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩春霞 | 申请（专利权）人 | 武汉仟目激光有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑飞 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地13栋1单元1层01号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于激光器制造技术领域，具体提供了一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构，包括由下至上依次加工形成的衬底、N‑DBR层、多量子阱层、P‑DBR层、帽层、绝缘层及电极接触层，绝缘层设有内外连接通道，内外连接通道设有金属层，金属层的上端面与电极层接触，金属层的下端面与帽层之间注入有离子注入层。在外延片清洗完成后先进行光刻工艺，将外延结构上不需要离子注入的区域用光刻胶保护，然后进行离子注入工艺，再将含有光刻胶的区域去胶，最后的工艺方法和现有工艺一样。当器件处于工作状态时载流子会被限制在离子注入的区域传输，不会因为刻蚀过程中过刻导致载流子的传输路径发生改变，提高了产品的可靠性，延长了使用寿命。 |
