一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构
基本信息
| 申请号 | CN202022090808.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213753443U | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN213753443U | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩春霞 | 申请（专利权）人 | 武汉仟目激光有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑飞 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地13栋1单元1层01号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于芯片制造技术领域，具体提供了一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次层叠有缓冲层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、AlxGaAs层及帽层，所述AlxGaAs层及帽层还设有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括含砷（As）或者含磷（P）系列或者两者的组合物。该结构在制造过程里，在刻蚀过程中不会出现将P型DBR刻蚀掉一部分的情况，因此当器件处于工作状态时也就不会出现当工作电流较大时载流子会因为浓度过大出现载流子分布不均匀，从而从根本上提高了器件结构性能可靠性，提升了产品使用寿命。 |
