垂直腔面发射激光器以及离子注入方法

基本信息

申请号 CN202110215478.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113013728A 公开(公告)日 2021-06-22
申请公布号 CN113013728A 申请公布日 2021-06-22
分类号 H01S5/183;H01S5/32 分类 基本电气元件;
发明人 杨旭;刘哲;韩春霞;周璇;宋云菲 申请(专利权)人 武汉仟目激光有限公司
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路33号华工科技园·创新基地13栋1单元1层01号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器,包括N金属以及位于N金属上的衬底层,还包括生长于衬底层上的功能层,功能层具有电绝缘区,电绝缘区中具有B+离子区间、He+离子区间以及H+离子区间,B+离子区间、He+离子区间以及H+离子区间沿衬底层至N金属层的方向依次布设。还包括一种离子注入方法,用在上述的垂直腔面发射激光器的加工中,具体包括如下步骤:按顺序向电绝缘去中依次注入B+离子、He+离子以及H+离子,以在电绝缘区中形成B+离子区间、He+离子区间以及H+离子区间,B+离子区间、He+离子区间以及H+离子区间沿衬底层至N金属层的方向依次布设。本发明通过在电绝缘区中注入B+离子、He+离子以及H+离子可以确保激光器的光电性能和寿命不受影响。