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太阳电池及其制作方法

基本信息

申请号	CN201610542614.1	申请日	-
公开（公告）号	CN106024983A	公开（公告）日	2016-10-12
申请公布号	CN106024983A	申请公布日	2016-10-12
分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L21/225(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘超;刘成法;张为国;张松;王佩然;陈寒;王登峰;蔡锦添;夏世伟;季海晨;高云峰;柳翠;袁晓	申请（专利权）人	上海玻纳电子科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	刘雯
地址	201615 上海市闵行区联航路1369弄6号305-2室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。