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提高N型单晶硅片硼扩散的方法

基本信息

申请号	CN202011485026.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112599410A	公开（公告）日	2021-04-02
申请公布号	CN112599410A	申请公布日	2021-04-02
分类号	H01L31/0288(2006.01)I;H01L21/228(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张圳;柳翠;袁晓;杨宁	申请（专利权）人	上海玻纳电子科技有限公司
代理机构	上海顺华专利代理有限责任公司	代理人	李鸿儒
地址	201102上海市闵行区平阳路258号1层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种提高N型单晶硅片硼扩散的方法，包括：硅片预处理，将N型单晶硅片依次经NaOH溶液抛光、RCA溶液清洗、HF溶液清洗，为后续处理做准备；亲水性金属氧化物沉积，在清洗完后的N型单晶硅片上沉积10～30nm厚的亲水性金属氧化物；液态硼源旋涂，在亲水性金属氧化物衬底上旋涂液态硼源，并在热台上烘干；以及热处理。亲水金属氧化物涂层一方面在硼扩散过程中阻挡氧气进入硅基底，避免了二氧化硅在衬底表面的生成，几乎消除了硼扩散过程中在表面的偏析和富集现象，减缓了硼在硅表面区域浓度不均匀现象，提高了硼的扩散浓度和深度；另一方面，液态硼源在亲水性的金属氧化物表面可以旋涂更加匀称，很好的改善硅表面扩散完后方阻不均匀的现象。