一种超高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010390578.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111485223B | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN111485223B | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | C23C16/27（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C25B11/091（2021.01）I;C25B1/13（2006.01）I;C02F1/461（2006.01）I;C02F1/72（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 魏秋平;马莉;周科朝;王立峰;王宝峰;施海平 | 申请（专利权）人 | 南京岱蒙特科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 210000江苏省南京市六合区龙池街道雄州南路399号2幢109号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法与应用，所述的硼掺杂金刚石电极包括衬底、电极工作层；所述电极工作层包裹在衬底表面，所述衬底为高比表面积多晶硅或单晶硅；所述电极工作层为硼掺杂金刚石层；所述高比表面积多晶硅是对多晶硅表面进行各向异性刻蚀或/和各向同性刻蚀得到；所述高比表面积单晶硅是对单晶硅表面进行各向异性刻蚀得到。所述硼掺杂金刚石层包括不同含硼量的硼掺杂金刚石高导电层、硼掺杂金刚石耐腐蚀层、硼掺杂金刚石强电催化活性层，相对于传统的平板电极来说，本发明的硅基硼掺杂金刚石电极具有成本低、具有极高的比表面积，用较低的电流密度提供较大的电流强度，具有广阔的应用前景。 |
